连续式HJT太阳能异质结电池HWCVD设备
Key equipment for fabrication of a-Si/c-Si heterojunction bifacial solar cells
（HJT-101型立式双面热丝CVD/Vertical Bifacial HWCVD (model HJT-101)
一、概况
Outline
本设备由南昌大学光伏研究院与帕萨电子装备有限公司联合研制。用于非晶硅/晶体硅异质结（HJT）太阳电池研发与制造，制备本征及掺杂非晶硅薄膜，同时作为150MW产线设备开发雏形。
（发明专利：ZL201821326540.9，ZL201821326561.0，201821331132.2）
Jointly developed by Indtitute of Photovoltaics, Nanchang University (IPV) and DG Plasma, for research and pilot-scale fabrication of full size a-Si/c-Si heterojunction (HAC) solar cells, and as a prototype for production line of 150MWp/a scale.
(Patent: ZL201821326540.9，ZL201821326561.0，201821331132.2)
二、主要优势
Major advantages
1、可在不破真空情况下实现硅片双面的i/n、i/p四层薄膜的连续制备；
2、无绕镀问题；
3、特殊设计延长热丝寿命；
4、与现行产线i/n和i/p非晶硅薄膜需分两台装备完成相比，可节省一组unload/load 腔和上下料自动化；
5、产能扩展空间大。
l Bifacial continuous deposition of i/n and i/p a-Si:H films
l Free of round deposition problem
l Prolonged hot wire life through a special design
l Saving a set of unload/load chambers and automation, compared with other current models, which requires two sets of CVD to perform i/n and i/p a-Si:H films respectively
l Good scalability
三、主要技术指标
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结构形式 |
In-Line立式 |
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基片尺寸 |
156.75mm*156.75mm ,厚度：140um-170um（可定制） |
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载片数量 |
4片，2*2布置（可定制） |
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非晶硅薄膜沉积室极限真空度 |
6.67*10-5Pa |
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非晶硅薄膜沉积工艺压强范围 |
0.5Pa-10Pa |
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TCO膜溅射室极限真空度 |
6.67*10-5Pa |
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TCO膜溅射工艺压强范围 |
0.1-2Pa |
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加热温度 |
室温~300℃（可调） |
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温度精度 |
±2℃ |
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热丝电源 |
DC电源，3KW |
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溅射电源 |
RF射频电源，13.56MHz，1000W |
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膜厚均匀性 |
±5%（10nm条件下测定） |