感应耦合等离子体刻蚀设备（ICP）

感应耦合等离子体刻蚀机
产品性能及特点
◆设备稳定可靠、工艺性能卓越，主要用于半导体制造工艺中的介质刻蚀、硅刻蚀以及金属刻蚀工艺,也能用于太阳能电池片RIE工艺。
◆可用于2-8寸工艺尺寸。
◆设备采用半导体刻蚀机的成熟技术，实现了对腔室内等离体密度的均匀控制，满足多种材料刻蚀工艺的要求。
◆设备采用模块化设计，整机包括工艺模块（PM: Process Module）和传输模块（TM: Transfer Module）。基片在工艺模块内进行刻
蚀，工艺时，在基片上方产生等离子体，对基片进行刻蚀。传输模块装有全自动机械手取放片，或者安全性高互锁机构，实现基片在
传输模块和工艺模块之间的传输，其传输方式可以根据客户要求选配。
◆具备全自动的软件操作系统/半自动操作，可以根据客户选配
◆主要应用范围：半导体芯片，TFT器件，膜层集成图像化，太阳能电池，银纳米，石墨烯等新材料制备等



主要技术参数

真空室工位	单腔、多腔（MAX:7）
反应室极限真空度	≤1x10-4Pa
工艺压强范围	2～133 Pa
样片尺寸	2～8英寸
刻蚀速率：	100～3000nm/min
刻蚀均匀性	±3%～±5%
RF电源	13.56MHZ /2MHZ/4MHZ 可选
样片热/冷却方式	Chiller ， 可选He冷背吹
操作方式	全自动方式、半自动方式